CTM14N50 Todos los transistores

 

CTM14N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTM14N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 307 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P

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CTM14N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  crownpo
 ctm14n50.pdf pdf_icon

CTM14N50

CTM14N50 Crownpo Technology Power MOSFET General Description Features . This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination . scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified . without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable advanced MOSFET is designed to wit

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