CTM14N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTM14N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 307 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CTM14N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CTM14N50 datasheet

 ..1. Size:229K  crownpo
 ctm14n50.pdf pdf_icon

CTM14N50

CTM14N50 Crownpo Technology Power MOSFET General Description Features . This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination . scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified . without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable advanced MOSFET is designed to wit

Otros transistores... CTLM8110-M832D, CTM01N60, CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, IRFB3607, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N