CTM14N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTM14N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTM14N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM14N50 даташит

 ..1. Size:229K  crownpo
 ctm14n50.pdf pdf_icon

CTM14N50

CTM14N50 Crownpo Technology Power MOSFET General Description Features . This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination . scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified . without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable advanced MOSFET is designed to wit

Другие IGBT... CTLM8110-M832D, CTM01N60, CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, IRFB3607, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N