CTM14N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

CTM14N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CTM14N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM14N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  crownpo
 ctm14n50.pdf pdf_icon

CTM14N50

CTM14N50Crownpo TechnologyPower MOSFETGeneral DescriptionFeatures.This high voltage MOSFET uses an advanced terminationRobust High Voltage Termination. scheme to provide enhanced voltage-blocking capabilityAvalanche Energy Specified.without degrading performance over time. In addition, thisSource-to-Drain Diode Recovery Time Comparableadvanced MOSFET is designed to wit

Другие MOSFET... CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , AON7506 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N .

History: RQ3G100GN | STD17N06L | FDS4935BZ | 4N65G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.