CTM14N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CTM14N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
CTM14N50 Datasheet (PDF)
ctm14n50.pdf

CTM14N50Crownpo TechnologyPower MOSFETGeneral DescriptionFeatures.This high voltage MOSFET uses an advanced terminationRobust High Voltage Termination. scheme to provide enhanced voltage-blocking capabilityAvalanche Energy Specified.without degrading performance over time. In addition, thisSource-to-Drain Diode Recovery Time Comparableadvanced MOSFET is designed to wit
Другие MOSFET... CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , AON7506 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N .
History: NCE6525Q | RQ3G100GN | STD17N06L | ZXMN7A11KTC | APT30N60SC6 | FDS4935BZ | SSB65R190S
History: NCE6525Q | RQ3G100GN | STD17N06L | ZXMN7A11KTC | APT30N60SC6 | FDS4935BZ | SSB65R190S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet