CTM18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CTM18N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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CTM18N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:171K crownpo
ctm18n20.pdf

CTM18N20Crownpo TechnologyPower MOSFETGeneral DescriptionFeatures.This Power MOSFET is designed for low voltage, highSilicon Gate for Fast Switching Speeds.speed power switching applications such as switchingLow R to Minimize On-Losses. Specified at ElevatedDS(on)regulators, converters, solenoid and relay drivers.Temperature.Rugged SOA is Power Dissipation Limi

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