CTM18N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTM18N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTM18N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM18N20 даташит

 ..1. Size:171K  crownpo
 ctm18n20.pdf pdf_icon

CTM18N20

CTM18N20 Crownpo Technology Power MOSFET General Description Features . This Power MOSFET is designed for low voltage, high Silicon Gate for Fast Switching Speeds . speed power switching applications such as switching Low R to Minimize On-Losses. Specified at Elevated DS(on) regulators, converters, solenoid and relay drivers. Temperature . Rugged SOA is Power Dissipation Limi

Другие IGBT... CTM01N60, CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, AON6380, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND