CTM18N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CTM18N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 750 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-220
CTM18N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:171K crownpo
ctm18n20.pdf
ctm18n20.pdf
CTM18N20Crownpo TechnologyPower MOSFETGeneral DescriptionFeatures.This Power MOSFET is designed for low voltage, highSilicon Gate for Fast Switching Speeds.speed power switching applications such as switchingLow R to Minimize On-Losses. Specified at ElevatedDS(on)regulators, converters, solenoid and relay drivers.Temperature.Rugged SOA is Power Dissipation Limi
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
