CTM18N20 - аналоги и даташиты транзистора

 

CTM18N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CTM18N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CTM18N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  crownpo
 ctm18n20.pdf pdf_icon

CTM18N20

CTM18N20Crownpo TechnologyPower MOSFETGeneral DescriptionFeatures.This Power MOSFET is designed for low voltage, highSilicon Gate for Fast Switching Speeds.speed power switching applications such as switchingLow R to Minimize On-Losses. Specified at ElevatedDS(on)regulators, converters, solenoid and relay drivers.Temperature.Rugged SOA is Power Dissipation Limi

Другие MOSFET... CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , IRLZ44N , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND .

History: AP9467AGH | 4N60G-TM3-T | RU30S4H

 

 
Back to Top

 


 
.