CTM2N7002 Todos los transistores

 

CTM2N7002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTM2N7002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CTM2N7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  crownpo
 ctm2n7002.pdf pdf_icon

CTM2N7002

CTM2N7002Crownpo TechnologySmall Signal MOSFETFeatures General DescriptionHigh Density Cell Design for Low RDS(ON)This N-Channel enhancement mode field effect transistorVoltage Controlled Small Signal Switchis produced using high cell density,DMOS technology.TheseRugged and Reliableproducts have been designed to minimize on-stateHigh Saturation Current Capabilityresistance

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History: P2003BDG

 

 
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