CTM2N7002 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTM2N7002  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CTM2N7002 datasheet

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CTM2N7002

CTM2N7002 Crownpo Technology Small Signal MOSFET Features General Description High Density Cell Design for Low RDS(ON) This N-Channel enhancement mode field effect transistor Voltage Controlled Small Signal Switch is produced using high cell density,DMOS technology.These Rugged and Reliable products have been designed to minimize on-state High Saturation Current Capability resistance

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