Справочник MOSFET. CTM2N7002

 

CTM2N7002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTM2N7002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CTM2N7002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM2N7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  crownpo
 ctm2n7002.pdf pdf_icon

CTM2N7002

CTM2N7002Crownpo TechnologySmall Signal MOSFETFeatures General DescriptionHigh Density Cell Design for Low RDS(ON)This N-Channel enhancement mode field effect transistorVoltage Controlled Small Signal Switchis produced using high cell density,DMOS technology.TheseRugged and Reliableproducts have been designed to minimize on-stateHigh Saturation Current Capabilityresistance

Другие MOSFET... CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , AO4407 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P .

History: AP65PN1R4P | TPCA8A09-H | SI8405DB | IPB083N10N3G | STL9N60M2 | DMG3413L | TF68N80

 

 
Back to Top

 


 
.