CTM2N7002 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CTM2N7002
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.115 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 7.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
CTM2N7002 Datasheet (PDF)
..1. Size:151K crownpo
ctm2n7002.pdf
ctm2n7002.pdf
CTM2N7002Crownpo TechnologySmall Signal MOSFETFeatures General DescriptionHigh Density Cell Design for Low RDS(ON)This N-Channel enhancement mode field effect transistorVoltage Controlled Small Signal Switchis produced using high cell density,DMOS technology.TheseRugged and Reliableproducts have been designed to minimize on-stateHigh Saturation Current Capabilityresistance
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
