CTM2N7002 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTM2N7002  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTM2N7002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM2N7002 даташит

 ..1. Size:151K  crownpo
 ctm2n7002.pdf pdf_icon

CTM2N7002

CTM2N7002 Crownpo Technology Small Signal MOSFET Features General Description High Density Cell Design for Low RDS(ON) This N-Channel enhancement mode field effect transistor Voltage Controlled Small Signal Switch is produced using high cell density,DMOS technology.These Rugged and Reliable products have been designed to minimize on-state High Saturation Current Capability resistance

Другие IGBT... CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, CTM18N20, IRF530, CTN2302, CTN2304, CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P