CTN2302 Todos los transistores

 

CTN2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTN2302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de CTN2302 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CTN2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  crownpo
 ctn2302.pdf pdf_icon

CTN2302

CTN2302Crownpo TechnologyCTN2302 N-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription 20V/2.8A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V The CTN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =115 m @VGS=2.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON) Exc

 8.1. Size:185K  crownpo
 ctn2304.pdf pdf_icon

CTN2302

CTN2304Crownpo TechnologyCTN2304 N-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription 30V/2.5A,RDS(ON)=117m @VGS=10V The CTN2304 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =190 m @VGS=4.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON) Exc

Otros transistores... CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , IRLB4132 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD .

 

 
Back to Top

 


 
.