CTN2302 Todos los transistores

 

CTN2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTN2302
   Código: 02YW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 36 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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CTN2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  crownpo
ctn2302.pdf

CTN2302
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CTN2302Crownpo TechnologyCTN2302 N-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription 20V/2.8A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V The CTN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =115 m @VGS=2.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON) Exc

 8.1. Size:185K  crownpo
ctn2304.pdf

CTN2302
CTN2302

CTN2304Crownpo TechnologyCTN2304 N-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription 30V/2.5A,RDS(ON)=117m @VGS=10V The CTN2304 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =190 m @VGS=4.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON) Exc

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