CTN2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTN2302
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CTN2302
CTN2302 Datasheet (PDF)
ctn2302.pdf
CTN2302 Crownpo Technology CTN2302 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Description 20V/2.8A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V The CTN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =115 m @VGS=2.5V mode power field effect transistors are produced using DS(ON) high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exc
ctn2304.pdf
CTN2304 Crownpo Technology CTN2304 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Description 30V/2.5A,RDS(ON)=117m @VGS=10V The CTN2304 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =190 m @VGS=4.5V mode power field effect transistors are produced using DS(ON) high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exc
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History: CTP2303
History: CTP2303
Liste
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