Справочник MOSFET. CTN2302

 

CTN2302 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTN2302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CTN2302

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTN2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  crownpo
 ctn2302.pdf pdf_icon

CTN2302

CTN2302Crownpo TechnologyCTN2302 N-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription 20V/2.8A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V The CTN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =115 m @VGS=2.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON) Exc

 8.1. Size:185K  crownpo
 ctn2304.pdf pdf_icon

CTN2302

CTN2304Crownpo TechnologyCTN2304 N-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription 30V/2.5A,RDS(ON)=117m @VGS=10V The CTN2304 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =190 m @VGS=4.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON) Exc

Другие MOSFET... CTM04N60 , CTM06N60 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , IRLB4132 , CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD .

 

 
Back to Top

 


 
.