CTN2304 Todos los transistores

 

CTN2304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTN2304
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.117 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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CTN2304 Datasheet (PDF)

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CTN2304

CTN2304 Crownpo Technology CTN2304 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Description 30V/2.5A,RDS(ON)=117m @VGS=10V The CTN2304 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =190 m @VGS=4.5V mode power field effect transistors are produced using DS(ON) high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exc

 8.1. Size:185K  crownpo
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CTN2304

CTN2302 Crownpo Technology CTN2302 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Description 20V/2.8A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V The CTN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =115 m @VGS=2.5V mode power field effect transistors are produced using DS(ON) high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exc

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