CTN2304 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTN2304  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.117 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CTN2304 datasheet

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CTN2304

CTN2304 Crownpo Technology CTN2304 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Description 30V/2.5A,RDS(ON)=117m @VGS=10V The CTN2304 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =190 m @VGS=4.5V mode power field effect transistors are produced using DS(ON) high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exc

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CTN2304

CTN2302 Crownpo Technology CTN2302 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Description 20V/2.8A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V The CTN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =115 m @VGS=2.5V mode power field effect transistors are produced using DS(ON) high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exc

Otros transistores... CTM06N60, CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, NCEP15T14, CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N