Справочник MOSFET. CTN2304

 

CTN2304 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CTN2304
   Маркировка: 04YW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.5 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 110 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.117 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для CTN2304

 

 

CTN2304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  crownpo
 ctn2304.pdf

CTN2304 CTN2304

CTN2304Crownpo TechnologyCTN2304 N-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription 30V/2.5A,RDS(ON)=117m @VGS=10V The CTN2304 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =190 m @VGS=4.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON) Exc

 8.1. Size:185K  crownpo
 ctn2302.pdf

CTN2304 CTN2304

CTN2302Crownpo TechnologyCTN2302 N-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription 20V/2.8A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V The CTN2302 is the N-Channel logic enhancement 20V/2.4A,R =115 m @VGS=2.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON) Exc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top