CTP2303 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTP2303  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: SOT-23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CTP2303 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CTP2303 datasheet

 ..1. Size:376K  crownpo
 ctp2303.pdf pdf_icon

CTP2303

CTP2303 Crownpo Technology CTP2303 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Description -30V/-1.7A,RDS(ON)=240 m @VGS=- 10V The CTP2303 is the P-Channel logic enhancement -30V/-1.3A,R =460 m @VGS=-4.5V mode power field effect transistors are produced using DS(ON) high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(O

Otros transistores... CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, AON7506, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, CXDM3069N