CTP2303 Todos los transistores

 

CTP2303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTP2303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CTP2303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  crownpo
 ctp2303.pdf pdf_icon

CTP2303

CTP2303Crownpo TechnologyCTP2303 P-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription -30V/-1.7A,RDS(ON)=240 m @VGS=- 10V The CTP2303 is the P-Channel logic enhancement -30V/-1.3A,R =460 m @VGS=-4.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(O

Otros transistores... CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , IRFP250 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , CXDM3069N .

History: YJG50N03A | IXFX90N60X | 2N80L-TN3-R | SSF2816EB | VSO011N06MS | 2SK3705 | JCS60N10I

 

 
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