CTP2303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CTP2303
Маркировка: 03YW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CTP2303 Datasheet (PDF)
ctp2303.pdf

CTP2303Crownpo TechnologyCTP2303 P-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription -30V/-1.7A,RDS(ON)=240 m @VGS=- 10V The CTP2303 is the P-Channel logic enhancement -30V/-1.3A,R =460 m @VGS=-4.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(O
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AOUS66920 | AOW12N65 | AOW10N60 | CWDM305P
History: AOUS66920 | AOW12N65 | AOW10N60 | CWDM305P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107