CTP2303 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTP2303  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTP2303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTP2303 даташит

 ..1. Size:376K  crownpo
 ctp2303.pdf pdf_icon

CTP2303

CTP2303 Crownpo Technology CTP2303 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Description -30V/-1.7A,RDS(ON)=240 m @VGS=- 10V The CTP2303 is the P-Channel logic enhancement -30V/-1.3A,R =460 m @VGS=-4.5V mode power field effect transistors are produced using DS(ON) high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(O

Другие IGBT... CTM07N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, AON7506, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, CXDM3069N