Справочник MOSFET. CTP2303

 

CTP2303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTP2303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CTP2303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTP2303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  crownpo
 ctp2303.pdf pdf_icon

CTP2303

CTP2303Crownpo TechnologyCTP2303 P-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription -30V/-1.7A,RDS(ON)=240 m @VGS=- 10V The CTP2303 is the P-Channel logic enhancement -30V/-1.3A,R =460 m @VGS=-4.5V modepower field effect transistors are produced using DS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(O

Другие MOSFET... CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , IRFP250 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , CXDM3069N .

History: IXTH1N200P3 | AOU3N60 | SIHFPC40 | PMV90EN | APM4953K | 25N10G-TF3-T | LNH4N65

 

 
Back to Top

 


 
.