CXDM1002N Todos los transistores

 

CXDM1002N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CXDM1002N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

 Búsqueda de reemplazo de CXDM1002N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CXDM1002N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  central
 cxdm1002n.pdf pdf_icon

CXDM1002N

CXDM1002NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM1002N is MOSFETa high voltage silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high voltage, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMBE

Otros transistores... CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , STF13NM60N , CXDM3069N , CXDM4060N , CXDM4060P , CXDM6053N , CZDM1003N , D55NF06 , D84DM2 , D84DN2 .

History: STU336S | 2SJ314-01S | STL90N3LLH6 | AP72T02GH | NCE70N1K1K

 

 
Back to Top

 


 
.