CXDM1002N Todos los transistores

 

CXDM1002N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CXDM1002N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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CXDM1002N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  central
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CXDM1002N

CXDM1002NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM1002N is MOSFETa high voltage silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high voltage, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMBE

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History: SE6020DB | AP4N2R6S | 2SK3070 | IRF7749L2TRPBF | AP18P10GS

 

 
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