Справочник MOSFET. CXDM1002N

 

CXDM1002N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CXDM1002N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для CXDM1002N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CXDM1002N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  central
 cxdm1002n.pdf pdf_icon

CXDM1002N

CXDM1002NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM1002N is MOSFETa high voltage silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high voltage, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMBE

Другие MOSFET... CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , STF13NM60N , CXDM3069N , CXDM4060N , CXDM4060P , CXDM6053N , CZDM1003N , D55NF06 , D84DM2 , D84DN2 .

History: NVMFS016N06C | FQD2N30TM

 

 
Back to Top

 


 
.