CXDM1002N - аналоги и даташиты транзистора

 

CXDM1002N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CXDM1002N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для CXDM1002N

 

CXDM1002N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  central
 cxdm1002n.pdf pdf_icon

CXDM1002N

CXDM1002N SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM1002N is MOSFET a high voltage silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high voltage, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current. MARKING FULL PART NUMBE

Другие MOSFET... CTN2304 , CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , IRFP250 , CXDM3069N , CXDM4060N , CXDM4060P , CXDM6053N , CZDM1003N , D55NF06 , D84DM2 , D84DN2 .

History: PM550BA

 

 
Back to Top

 


 
.