CXDM1002N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXDM1002N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CXDM1002N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CXDM1002N даташит

 ..1. Size:844K  central
 cxdm1002n.pdf pdf_icon

CXDM1002N

CXDM1002N SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM1002N is MOSFET a high voltage silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high voltage, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current. MARKING FULL PART NUMBE

Другие IGBT... CTN2304, CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, IRFP250, CXDM3069N, CXDM4060N, CXDM4060P, CXDM6053N, CZDM1003N, D55NF06, D84DM2, D84DN2