CXDM3069N Todos los transistores

 

CXDM3069N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CXDM3069N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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CXDM3069N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  central
 cxdm3069n.pdf pdf_icon

CXDM3069N

CXDM3069NSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM3069N is SILICON MOSFETa high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMB

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History: SSM25T03GJ | 2SK2074 | APQ110SN5EA | 36N06 | BRCS250N10SDP | AUIRFR2307ZTR | P8010BD

 

 
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