Справочник MOSFET. CXDM3069N

 

CXDM3069N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CXDM3069N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для CXDM3069N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CXDM3069N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  central
 cxdm3069n.pdf pdf_icon

CXDM3069N

CXDM3069NSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM3069N is SILICON MOSFETa high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMB

Другие MOSFET... CTP2303 , CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , P0903BDG , CXDM4060N , CXDM4060P , CXDM6053N , CZDM1003N , D55NF06 , D84DM2 , D84DN2 , DE150-101N09A .

History: NCE9926 | AOI600A60 | NCE60N1K0R | IPB60R160C6 | RJK03E0DNS | CPH3910

 

 
Back to Top

 


 
.