CXDM3069N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXDM3069N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CXDM3069N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CXDM3069N даташит

 ..1. Size:350K  central
 cxdm3069n.pdf pdf_icon

CXDM3069N

CXDM3069N SURFACE MOUNT www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM3069N is SILICON MOSFET a high current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current. MARKING FULL PART NUMB

Другие IGBT... CTP2303, CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, IRF1407, CXDM4060N, CXDM4060P, CXDM6053N, CZDM1003N, D55NF06, D84DM2, D84DN2, DE150-101N09A