CXDM4060N Todos los transistores

 

CXDM4060N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CXDM4060N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
     - Selección de transistores por parámetros

 

CXDM4060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:839K  central
 cxdm4060n.pdf pdf_icon

CXDM4060N

CXDM4060NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060N is aMOSFEThigh current silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier anddriver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMBER

 6.1. Size:848K  central
 cxdm4060p.pdf pdf_icon

CXDM4060N

CXDM4060PSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060P is aMOSFEThigh current silicon P-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET features high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge.MARKING: FULL PART NUMBER

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History: MRF5003 | IRFR120TR

 

 
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