CXDM4060N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CXDM4060N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: SOT-89

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CXDM4060N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CXDM4060N datasheet

 ..1. Size:839K  central
 cxdm4060n.pdf pdf_icon

CXDM4060N

CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060N is a MOSFET high current silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current. MARKING FULL PART NUMBER

 6.1. Size:848K  central
 cxdm4060p.pdf pdf_icon

CXDM4060N

CXDM4060P SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060P is a MOSFET high current silicon P-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET features high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. MARKING FULL PART NUMBER

Otros transistores... CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, CXDM3069N, 2SK3568, CXDM4060P, CXDM6053N, CZDM1003N, D55NF06, D84DM2, D84DN2, DE150-101N09A, DE150-102N02A