CXDM4060N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXDM4060N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CXDM4060N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CXDM4060N даташит

 ..1. Size:839K  central
 cxdm4060n.pdf pdf_icon

CXDM4060N

CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060N is a MOSFET high current silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current. MARKING FULL PART NUMBER

 6.1. Size:848K  central
 cxdm4060p.pdf pdf_icon

CXDM4060N

CXDM4060P SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060P is a MOSFET high current silicon P-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET features high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. MARKING FULL PART NUMBER

Другие IGBT... CWDM3011N, CWDM3011P, CWDM305N, CWDM305ND, CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, CXDM3069N, 2SK3568, CXDM4060P, CXDM6053N, CZDM1003N, D55NF06, D84DM2, D84DN2, DE150-101N09A, DE150-102N02A