Справочник MOSFET. CXDM4060N

 

CXDM4060N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CXDM4060N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CXDM4060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:839K  central
 cxdm4060n.pdf pdf_icon

CXDM4060N

CXDM4060NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060N is aMOSFEThigh current silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier anddriver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMBER

 6.1. Size:848K  central
 cxdm4060p.pdf pdf_icon

CXDM4060N

CXDM4060PSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060P is aMOSFEThigh current silicon P-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET features high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge.MARKING: FULL PART NUMBER

Другие MOSFET... CWDM3011N , CWDM3011P , CWDM305N , CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , CXDM3069N , 5N65 , CXDM4060P , CXDM6053N , CZDM1003N , D55NF06 , D84DM2 , D84DN2 , DE150-101N09A , DE150-102N02A .

History: CHM4204PAGP | NDB710AE

 

 
Back to Top

 


 
.