CZDM1003N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CZDM1003N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CZDM1003N
CZDM1003N Datasheet (PDF)
czdm1003n.pdf
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CZDM1003NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZDM1003N is aMOSFET3.0 Amp, 100 Volt silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for motor control and relay driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), and low gate charge.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASEFEATURES:APPL
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Liste
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