CZDM1003N Todos los transistores

 

CZDM1003N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CZDM1003N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

CZDM1003N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:935K  central
 czdm1003n.pdf pdf_icon

CZDM1003N

CZDM1003NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZDM1003N is aMOSFET3.0 Amp, 100 Volt silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for motor control and relay driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), and low gate charge.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASEFEATURES:APPL

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History: 4N65KG-T60-K | CSD17309Q3 | MRF5003 | IRFR120TR | AONS36316

 

 
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