CZDM1003N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CZDM1003N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 15 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

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CZDM1003N Datasheet (PDF)

..1. Size:935K central
czdm1003n.pdf

CZDM1003NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZDM1003N is aMOSFET3.0 Amp, 100 Volt silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for motor control and relay driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), and low gate charge.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASEFEATURES:APPL

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