CZDM1003N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CZDM1003N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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CZDM1003N datasheet

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CZDM1003N

CZDM1003N SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZDM1003N is a MOSFET 3.0 Amp, 100 Volt silicon N-Channel enhancement- mode MOSFET, designed for motor control and relay driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), and low gate charge. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE FEATURES APPL

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