Справочник MOSFET. CZDM1003N

 

CZDM1003N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CZDM1003N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для CZDM1003N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CZDM1003N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:935K  central
 czdm1003n.pdf pdf_icon

CZDM1003N

CZDM1003NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZDM1003N is aMOSFET3.0 Amp, 100 Volt silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for motor control and relay driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), and low gate charge.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASEFEATURES:APPL

Другие MOSFET... CWDM305ND , CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , CXDM3069N , CXDM4060N , CXDM4060P , CXDM6053N , SKD502T , D55NF06 , D84DM2 , D84DN2 , DE150-101N09A , DE150-102N02A , DE150-201N09A , DE150-501N04A , DE275-101N30A .

History: AOUS66920 | AP6N6R5LMT-L | RJK03C5DPA | CSD17309Q3 | 12N65KG-TF

 

 
Back to Top

 


 
.