D55NF06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: D55NF06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO-252

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D55NF06 datasheet

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D55NF06

55NF06 Pb 55NF06 Pb Free Plating Product N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET 1 2 TO-251/IPAK 3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12 threshold voltages of 4 volt. TO-

Otros transistores... CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, CXDM3069N, CXDM4060N, CXDM4060P, CXDM6053N, CZDM1003N, SI2302, D84DM2, D84DN2, DE150-101N09A, DE150-102N02A, DE150-201N09A, DE150-501N04A, DE275-101N30A, DE275-102N06A