D55NF06 Todos los transistores

 

D55NF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: D55NF06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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D55NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  thinkisemi
d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf pdf_icon

D55NF06

55NF06 Pb 55NF06 Pb Free Plating Product N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET 1 2 TO-251/IPAK 3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12 threshold voltages of 4 volt. TO-

Otros transistores... CWDM305P , CWDM305PD , CXDM1002N , CXDM3069N , CXDM4060N , CXDM4060P , CXDM6053N , CZDM1003N , SI2302 , D84DM2 , D84DN2 , DE150-101N09A , DE150-102N02A , DE150-201N09A , DE150-501N04A , DE275-101N30A , DE275-102N06A .

 

 
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