D55NF06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D55NF06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для D55NF06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

D55NF06 даташит

 ..1. Size:279K  thinkisemi
 d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf pdf_icon

D55NF06

55NF06 Pb 55NF06 Pb Free Plating Product N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET 1 2 TO-251/IPAK 3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12 threshold voltages of 4 volt. TO-

Другие IGBT... CWDM305P, CWDM305PD, CXDM1002N, CXDM3069N, CXDM4060N, CXDM4060P, CXDM6053N, CZDM1003N, SI2302, D84DM2, D84DN2, DE150-101N09A, DE150-102N02A, DE150-201N09A, DE150-501N04A, DE275-101N30A, DE275-102N06A