DK64N90B Todos los transistores

 

DK64N90B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DK64N90B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00745 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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DK64N90B Datasheet (PDF)

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 dk64n90f dk64n90 dk64n90b.pdf pdf_icon

DK64N90B

DK64N90 PbDK64N90Pb Free Plating ProductN-Channel Trench Process Power MOSFET TransistorsGeneral Description DK64N90(TO-220 HeatSink)DK64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G

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History: HGN058N08SL | DKI04077

 

 
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