DK64N90B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK64N90B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00745 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DK64N90B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DK64N90B даташит

 ..1. Size:901K  thinkisemi
 dk64n90f dk64n90 dk64n90b.pdf pdf_icon

DK64N90B

DK64N90 Pb DK64N90 Pb Free Plating Product N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistors General Description DK64N90 (TO-220 HeatSink) DK64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G

Другие IGBT... DI9430T, DI9435T, DK48N18, DK48N75, DK48N78, DK48N80, DK48N88, DK64N90, AO4407A, DK64N90F, DKI03038, DKI03062, DKI03082, DKI04035, DKI04046, DKI04077, DKI04103