Справочник MOSFET. DK64N90B

 

DK64N90B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DK64N90B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00745 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для DK64N90B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DK64N90B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  thinkisemi
 dk64n90f dk64n90 dk64n90b.pdf pdf_icon

DK64N90B

DK64N90 PbDK64N90Pb Free Plating ProductN-Channel Trench Process Power MOSFET TransistorsGeneral Description DK64N90(TO-220 HeatSink)DK64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G

Другие MOSFET... DI9430T , DI9435T , DK48N18 , DK48N75 , DK48N78 , DK48N80 , DK48N88 , DK64N90 , AO3407 , DK64N90F , DKI03038 , DKI03062 , DKI03082 , DKI04035 , DKI04046 , DKI04077 , DKI04103 .

History: MPSY65M650 | AON3820

 

 
Back to Top

 


 
.