DKI10751 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DKI10751 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0726 Ohm
Encapsulados: TO-252
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de DKI10751 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
DKI10751 datasheet
dki10751.pdf
100 V, 15 A, 50.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10751 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 15 A D RDS(ON) ---------- 72.6m max. (VGS = 10 V, ID = 7.5 A) Qg --------- 6.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 9.5 A) Low Total G
dki10751.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DKI10751 FEATURES Drain Current I =15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 72.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
dki10526.pdf
100 V, 19 A, 34.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10526 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 19 A D RDS(ON) ---------- 54.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 9.3 A) Qg ------- 9.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 11.9 A) Low Total G
dki10299.pdf
100 V, 28 A, 20.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI10299 Features Package TO-252 V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 28 A D RDS(ON) -------- 30.0 m max. (VGS = 10 V, ID = 14.2 A) Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 17.1 A) Low Total Gat
Otros transistores... DKI04077, DKI04103, DKI06075, DKI06108, DKI06186, DKI06261, DKI10299, DKI10526, IRF640, DL2M100N5, DL2M50N5, DMC1017UPD, DMC1028UFDB, DMC1029UFDB, DMC1030UFDB, DMC1229UFDB, DMC2038LVT
History: DL2M100N5
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t
