DL2M50N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DL2M50N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: 6DM-2

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DL2M50N5 Datasheet (PDF)

..1. Size:586K dawin
dl2m50n5.pdf

D WTMD WTMDAWIN ElectronicsDAWIN Electronics DL2M50N5Apr. 2008500V DUAL N-Channel MOSFETDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS Dual power MOSFET devices are designed for switching applications of high voltage and current. (You have to connect external Equivalent Circuit fast recovery diode reverse connected across each MOSFET)The mounting base of the module

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