DL2M50N5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DL2M50N5  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: 6DM-2

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DL2M50N5 datasheet

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DL2M50N5

D WTM D WTM DAWIN Electronics DAWIN Electronics DL2M50N5 Apr. 2008 500V DUAL N-Channel MOSFET Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S Dual power MOSFET devices are designed for switching applications of high voltage and current. (You have to connect external Equivalent Circuit fast recovery diode reverse connected across each MOSFET) The mounting base of the module

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