Справочник MOSFET. DL2M50N5

 

DL2M50N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DL2M50N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 360 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: 6DM-2
 

 Аналог (замена) для DL2M50N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DL2M50N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  dawin
 dl2m50n5.pdf pdf_icon

DL2M50N5

D WTMD WTMDAWIN ElectronicsDAWIN Electronics DL2M50N5Apr. 2008500V DUAL N-Channel MOSFETDescriptionEquivalent Circuit and Package DAWINS Dual power MOSFET devices are designed for switching applications of high voltage and current. (You have to connect external Equivalent Circuit fast recovery diode reverse connected across each MOSFET)The mounting base of the module

Другие MOSFET... DKI06075 , DKI06108 , DKI06186 , DKI06261 , DKI10299 , DKI10526 , DKI10751 , DL2M100N5 , IRFP260N , DMC1017UPD , DMC1028UFDB , DMC1029UFDB , DMC1030UFDB , DMC1229UFDB , DMC2038LVT , DMC2041UFDB , DMC2400UV .

History: AO3481 | CEP6086 | ZXM62N03G | IXTK17N120L | RSQ020N03FRA | SI1307EDL | P6403FMG

 

 
Back to Top

 


 
.