DMC1229UFDB Todos los transistores

 

DMC1229UFDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMC1229UFDB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: U-DFN2020-6
 

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DMC1229UFDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  diodes
 dmc1229ufdb.pdf pdf_icon

DMC1229UFDB

DMC1229UFDBCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 29m @ VGS = 4.5V 5.6A 34m @ VGS = 2.5V 5.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Q1 12V N-Channel 44m @ VGS = 1.8V 4.5A Halogen

Otros transistores... DKI10526 , DKI10751 , DL2M100N5 , DL2M50N5 , DMC1017UPD , DMC1028UFDB , DMC1029UFDB , DMC1030UFDB , AON6414A , DMC2038LVT , DMC2041UFDB , DMC2400UV , DMC25D0UVT , DMC25D1UVT , DMC2700UDM , DMC2990UDJ , DMC3016LSD .

History: SSG4920N | SGSP358 | GSM8823 | 2SK1839 | SIR870DP | GSM8822

 

 
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