DMC1229UFDB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMC1229UFDB 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Encapsulados: U-DFN2020-6
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DMC1229UFDB datasheet
dmc1229ufdb.pdf
DMC1229UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 29m @ VGS = 4.5V 5.6A 34m @ VGS = 2.5V 5.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Q1 12V N-Channel 44m @ VGS = 1.8V 4.5A Halogen
Otros transistores... DKI10526, DKI10751, DL2M100N5, DL2M50N5, DMC1017UPD, DMC1028UFDB, DMC1029UFDB, DMC1030UFDB, IRFB4227, DMC2038LVT, DMC2041UFDB, DMC2400UV, DMC25D0UVT, DMC25D1UVT, DMC2700UDM, DMC2990UDJ, DMC3016LSD
History: NTJS4151PT1
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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