DMC1229UFDB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMC1229UFDB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: U-DFN2020-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMC1229UFDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMC1229UFDB даташит

 ..1. Size:292K  diodes
 dmc1229ufdb.pdf pdf_icon

DMC1229UFDB

DMC1229UFDB COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 29m @ VGS = 4.5V 5.6A 34m @ VGS = 2.5V 5.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Q1 12V N-Channel 44m @ VGS = 1.8V 4.5A Halogen

Другие IGBT... DKI10526, DKI10751, DL2M100N5, DL2M50N5, DMC1017UPD, DMC1028UFDB, DMC1029UFDB, DMC1030UFDB, IRFB4227, DMC2038LVT, DMC2041UFDB, DMC2400UV, DMC25D0UVT, DMC25D1UVT, DMC2700UDM, DMC2990UDJ, DMC3016LSD