Справочник MOSFET. DMC1229UFDB

 

DMC1229UFDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMC1229UFDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: U-DFN2020-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMC1229UFDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  diodes
 dmc1229ufdb.pdf pdf_icon

DMC1229UFDB

DMC1229UFDBCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 29m @ VGS = 4.5V 5.6A 34m @ VGS = 2.5V 5.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Q1 12V N-Channel 44m @ VGS = 1.8V 4.5A Halogen

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: XP161A11A1PR-G | PHB95N03LT | DMT4002LPS | SVF4N60RDM | SSF80N06A | FDA24N50F | RF4C050AP

 

 
Back to Top

 


 
.