DMG4511SK4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG4511SK4  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-252

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DMG4511SK4 datasheet

 ..1. Size:196K  diodes
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DMG4511SK4

DMG4511SK4 COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = 25 C Low Input Capacitance 35V 35m @ VGS = 10V 13A Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage -35V 45m @ VGS = -10V -12A Complementary Pair MOSFET Lead Free/RoHS Compliant

Otros transistores... DMG302PU, DMG3402L, DMG3404L, DMG3406L, DMG3413L, DMG3418L, DMG4406LSS, DMG4407SSS, 12N60, DMG4710SSS, DMG4812SSS, DMG4932LSD, DMG4N65CT, DMG4N65CTI, DMG6301UDW, DMG6402LVT, DMG6601LVT