DMG4511SK4 Todos los transistores

 

DMG4511SK4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG4511SK4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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DMG4511SK4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  diodes
 dmg4511sk4.pdf pdf_icon

DMG4511SK4

DMG4511SK4COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 35V 35m @ VGS = 10V 13A Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage -35V 45m @ VGS = -10V -12A Complementary Pair MOSFET Lead Free/RoHS Compliant

Otros transistores... DMG302PU , DMG3402L , DMG3404L , DMG3406L , DMG3413L , DMG3418L , DMG4406LSS , DMG4407SSS , IRF1010E , DMG4710SSS , DMG4812SSS , DMG4932LSD , DMG4N65CT , DMG4N65CTI , DMG6301UDW , DMG6402LVT , DMG6601LVT .

History: 2SJ326 | DMG3413L

 

 
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