Справочник MOSFET. DMG4511SK4

 

DMG4511SK4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG4511SK4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для DMG4511SK4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG4511SK4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  diodes
 dmg4511sk4.pdf pdf_icon

DMG4511SK4

DMG4511SK4COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 35V 35m @ VGS = 10V 13A Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage -35V 45m @ VGS = -10V -12A Complementary Pair MOSFET Lead Free/RoHS Compliant

Другие MOSFET... DMG302PU , DMG3402L , DMG3404L , DMG3406L , DMG3413L , DMG3418L , DMG4406LSS , DMG4407SSS , 4N60 , DMG4710SSS , DMG4812SSS , DMG4932LSD , DMG4N65CT , DMG4N65CTI , DMG6301UDW , DMG6402LVT , DMG6601LVT .

History: 18P10I | IPD035N06L3G | 40601 | BUK437-500A | DMG4406LSS | 40823 | FQD10N20C

 

 
Back to Top

 


 
.