DMG4710SSS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG4710SSS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: SO-8

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DMG4710SSS datasheet

 ..1. Size:169K  diodes
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DMG4710SSS

DMG4710SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID max integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver V(BR)DSS RDS(on) TA = 25 C (Note 5) Low RDS(ON) - minimizes conduction losses Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction 12.5m @

 8.1. Size:152K  diodes
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DMG4710SSS

DMG4712SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case SO-8 Low Leakage Current at High Temperature Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

Otros transistores... DMG3402L, DMG3404L, DMG3406L, DMG3413L, DMG3418L, DMG4406LSS, DMG4407SSS, DMG4511SK4, 5N65, DMG4812SSS, DMG4932LSD, DMG4N65CT, DMG4N65CTI, DMG6301UDW, DMG6402LVT, DMG6601LVT, DMG6602SVTQ