DMG4710SSS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG4710SSS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMG4710SSS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG4710SSS даташит

 ..1. Size:169K  diodes
 dmg4710sss.pdf pdf_icon

DMG4710SSS

DMG4710SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID max integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver V(BR)DSS RDS(on) TA = 25 C (Note 5) Low RDS(ON) - minimizes conduction losses Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction 12.5m @

 8.1. Size:152K  diodes
 dmg4712sss.pdf pdf_icon

DMG4710SSS

DMG4712SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case SO-8 Low Leakage Current at High Temperature Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

Другие IGBT... DMG3402L, DMG3404L, DMG3406L, DMG3413L, DMG3418L, DMG4406LSS, DMG4407SSS, DMG4511SK4, 5N65, DMG4812SSS, DMG4932LSD, DMG4N65CT, DMG4N65CTI, DMG6301UDW, DMG6402LVT, DMG6601LVT, DMG6602SVTQ