Справочник MOSFET. DMG4710SSS

 

DMG4710SSS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMG4710SSS
   Маркировка: G4710SS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.54 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18.5 nC
   Время нарастания (tr): 8.73 ns
   Выходная емкость (Cd): 158 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для DMG4710SSS

 

 

DMG4710SSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  diodes
 dmg4710sss.pdf

DMG4710SSS DMG4710SSS

DMG4710SSSN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID max integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: V(BR)DSS RDS(on) TA = 25C (Note 5) Low RDS(ON) - minimizes conduction losses Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction12.5m @

 8.1. Size:152K  diodes
 dmg4712sss.pdf

DMG4710SSS DMG4710SSS

DMG4712SSSN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case: SO-8 Low Leakage Current at High Temperature Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top