DMG4932LSD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG4932LSD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.19 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SO-8

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DMG4932LSD datasheet

 ..1. Size:200K  diodes
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DMG4932LSD

DMG4932LSD ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case SO-8 Low Leakage Current at High Temp. Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Lo

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