DMG4932LSD Todos los transistores

 

DMG4932LSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG4932LSD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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DMG4932LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  diodes
 dmg4932lsd.pdf pdf_icon

DMG4932LSD

DMG4932LSDASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case: SO-8 Low Leakage Current at High Temp. Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Lo

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History: SE7401P | N2500N | DH850N10I

 

 
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