DMG4932LSD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG4932LSD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMG4932LSD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG4932LSD даташит

 ..1. Size:200K  diodes
 dmg4932lsd.pdf pdf_icon

DMG4932LSD

DMG4932LSD ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case SO-8 Low Leakage Current at High Temp. Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Lo

Другие IGBT... DMG3406L, DMG3413L, DMG3418L, DMG4406LSS, DMG4407SSS, DMG4511SK4, DMG4710SSS, DMG4812SSS, IRFB3607, DMG4N65CT, DMG4N65CTI, DMG6301UDW, DMG6402LVT, DMG6601LVT, DMG6602SVTQ, DMG7401SFG, DMG7408SFG