Справочник MOSFET. DMG4932LSD

 

DMG4932LSD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG4932LSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для DMG4932LSD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG4932LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  diodes
 dmg4932lsd.pdf pdf_icon

DMG4932LSD

DMG4932LSDASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case: SO-8 Low Leakage Current at High Temp. Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Lo

Другие MOSFET... DMG3406L , DMG3413L , DMG3418L , DMG4406LSS , DMG4407SSS , DMG4511SK4 , DMG4710SSS , DMG4812SSS , AON7506 , DMG4N65CT , DMG4N65CTI , DMG6301UDW , DMG6402LVT , DMG6601LVT , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG .

History: FCD380N60E | TPP60R580C | IPB015N04NG | FDU3580 | TMPF7N60Z | 2SK888 | TMPF6N65

 

 
Back to Top

 


 
.