DMG6301UDW Todos los transistores

 

DMG6301UDW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG6301UDW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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DMG6301UDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  diodes
 dmg6301udw.pdf pdf_icon

DMG6301UDW

DMG6301UDW25V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 4 @ VGS = 4.5V 0.24A Low Input Capacitance 25V 5 @ VGS = 2.7V 0.22A Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate (>6kV Human Body Model) Totally

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