DMG6301UDW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG6301UDW  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMG6301UDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6301UDW даташит

 ..1. Size:268K  diodes
 dmg6301udw.pdf pdf_icon

DMG6301UDW

DMG6301UDW 25V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 4 @ VGS = 4.5V 0.24A Low Input Capacitance 25V 5 @ VGS = 2.7V 0.22A Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate (>6kV Human Body Model) Totally

Другие IGBT... DMG4406LSS, DMG4407SSS, DMG4511SK4, DMG4710SSS, DMG4812SSS, DMG4932LSD, DMG4N65CT, DMG4N65CTI, CS150N03A8, DMG6402LVT, DMG6601LVT, DMG6602SVTQ, DMG7401SFG, DMG7408SFG, DMG7410SFG, DMG7430LFG, DMG7702SFG