Справочник MOSFET. DMG6301UDW

 

DMG6301UDW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG6301UDW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6301UDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  diodes
 dmg6301udw.pdf pdf_icon

DMG6301UDW

DMG6301UDW25V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 4 @ VGS = 4.5V 0.24A Low Input Capacitance 25V 5 @ VGS = 2.7V 0.22A Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate (>6kV Human Body Model) Totally

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: OSG65R040HT3F | IRF6619 | FTK7510P | ME04N25-G | IPP083N10N5

 

 
Back to Top

 


 
.