Справочник MOSFET. DMG6301UDW

 

DMG6301UDW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG6301UDW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для DMG6301UDW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6301UDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  diodes
 dmg6301udw.pdf pdf_icon

DMG6301UDW

DMG6301UDW25V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 4 @ VGS = 4.5V 0.24A Low Input Capacitance 25V 5 @ VGS = 2.7V 0.22A Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate (>6kV Human Body Model) Totally

Другие MOSFET... DMG4406LSS , DMG4407SSS , DMG4511SK4 , DMG4710SSS , DMG4812SSS , DMG4932LSD , DMG4N65CT , DMG4N65CTI , IRLB4132 , DMG6402LVT , DMG6601LVT , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG .

History: RJK5026DPE | IRF6619

 

 
Back to Top

 


 
.