DMG6402LVT Todos los transistores

 

DMG6402LVT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG6402LVT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOT26
 

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DMG6402LVT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  diodes
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DMG6402LVT

DMG6402LVT30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 30m @ VGS = 10V 6A 30V Totally Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2) 42m @ VGS = 4.5V 5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified

 6.1. Size:156K  diodes
 dmg6402ldm.pdf pdf_icon

DMG6402LVT

DMG6402LDMN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low RDS(ON) Case: SOT-26 Case Material - Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals: Finish - Matte Tin Solderable per MIL-S

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History: SPP80N05L | SSM3K02F

 

 
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