Справочник MOSFET. DMG6402LVT

 

DMG6402LVT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG6402LVT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для DMG6402LVT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6402LVT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  diodes
 dmg6402lvt.pdf pdf_icon

DMG6402LVT

DMG6402LVT30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 30m @ VGS = 10V 6A 30V Totally Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2) 42m @ VGS = 4.5V 5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified

 6.1. Size:156K  diodes
 dmg6402ldm.pdf pdf_icon

DMG6402LVT

DMG6402LDMN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low RDS(ON) Case: SOT-26 Case Material - Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals: Finish - Matte Tin Solderable per MIL-S

Другие MOSFET... DMG4407SSS , DMG4511SK4 , DMG4710SSS , DMG4812SSS , DMG4932LSD , DMG4N65CT , DMG4N65CTI , DMG6301UDW , IRFP450 , DMG6601LVT , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT .

History: DMP6180SK3-13 | IXFT94N30T | DMN65D8LW | LND150N3 | BRCS150P02MC | CEU02N65G | BUZ73

 

 
Back to Top

 


 
.