DMG6402LVT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG6402LVT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSOT26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMG6402LVT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6402LVT даташит

 ..1. Size:221K  diodes
 dmg6402lvt.pdf pdf_icon

DMG6402LVT

DMG6402LVT 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25 C Low On-Resistance Fast Switching Speed 30m @ VGS = 10V 6A 30V Totally Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2) 42m @ VGS = 4.5V 5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified

 6.1. Size:156K  diodes
 dmg6402ldm.pdf pdf_icon

DMG6402LVT

DMG6402LDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low RDS(ON) Case SOT-26 Case Material - Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals Finish - Matte Tin Solderable per MIL-S

Другие IGBT... DMG4407SSS, DMG4511SK4, DMG4710SSS, DMG4812SSS, DMG4932LSD, DMG4N65CT, DMG4N65CTI, DMG6301UDW, NCEP15T14, DMG6601LVT, DMG6602SVTQ, DMG7401SFG, DMG7408SFG, DMG7410SFG, DMG7430LFG, DMG7702SFG, DMG9N65CT