DMG7702SFG Todos los transistores

 

DMG7702SFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG7702SFG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI3333
     - Selección de transistores por parámetros

 

DMG7702SFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  diodes
 dmg7702sfg.pdf pdf_icon

DMG7702SFG

DMG7702SFG30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID V(BR)DSS RDS(ON) Package integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: TA = +25C Low RDS(ON) minimize conduction losses 10m @ VGS = 10V 12 A Low VSD reducing the losses due to bo

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History: 2SK2961 | PMPB12UNEA | SIE862DF | BUK9Y113-100E | BL33N25-P | 2N6904 | CTM06N60

 

 
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