DMG7702SFG Todos los transistores

 

DMG7702SFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG7702SFG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI3333
 

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DMG7702SFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  diodes
 dmg7702sfg.pdf pdf_icon

DMG7702SFG

DMG7702SFG30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID V(BR)DSS RDS(ON) Package integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: TA = +25C Low RDS(ON) minimize conduction losses 10m @ VGS = 10V 12 A Low VSD reducing the losses due to bo

Otros transistores... DMG6301UDW , DMG6402LVT , DMG6601LVT , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , 10N65 , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE .

History: HTS050N03 | CJS2016 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | UTT36N10

 

 
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