DMG7702SFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG7702SFG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.89 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERDI3333
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMG7702SFG
DMG7702SFG Datasheet (PDF)
dmg7702sfg.pdf
DMG7702SFG 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID V(BR)DSS RDS(ON) Package integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver TA = +25 C Low RDS(ON) minimize conduction losses 10m @ VGS = 10V 12 A Low VSD reducing the losses due to bo
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History: DMG7408SFG
History: DMG7408SFG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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