DMG7702SFG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG7702SFG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: POWERDI3333

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMG7702SFG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG7702SFG даташит

 ..1. Size:180K  diodes
 dmg7702sfg.pdf pdf_icon

DMG7702SFG

DMG7702SFG 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID V(BR)DSS RDS(ON) Package integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver TA = +25 C Low RDS(ON) minimize conduction losses 10m @ VGS = 10V 12 A Low VSD reducing the losses due to bo

Другие IGBT... DMG6301UDW, DMG6402LVT, DMG6601LVT, DMG6602SVTQ, DMG7401SFG, DMG7408SFG, DMG7410SFG, DMG7430LFG, 4N60, DMG9N65CT, DMG9N65CTI, DMGD7N45SSD, DMHC10H170SFJ, DMHC3025LSD, DMHC4035LSD, DMJ7N70SK3, DMN1019UFDE