Справочник MOSFET. DMG7702SFG

 

DMG7702SFG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG7702SFG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI3333
 

 Аналог (замена) для DMG7702SFG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG7702SFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  diodes
 dmg7702sfg.pdf pdf_icon

DMG7702SFG

DMG7702SFG30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID V(BR)DSS RDS(ON) Package integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: TA = +25C Low RDS(ON) minimize conduction losses 10m @ VGS = 10V 12 A Low VSD reducing the losses due to bo

Другие MOSFET... DMG6301UDW , DMG6402LVT , DMG6601LVT , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , 10N65 , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE .

History: 2N7002GP-A | SVF18NE50PN | IPB34CN10NG | SPB02N60C3 | HAT2172N | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.