DMG7702SFG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMG7702SFG
Маркировка: G72
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 27.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: POWERDI3333
Аналог (замена) для DMG7702SFG
DMG7702SFG Datasheet (PDF)
..1. Size:180K diodes
dmg7702sfg.pdf
dmg7702sfg.pdf
DMG7702SFG30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID V(BR)DSS RDS(ON) Package integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: TA = +25C Low RDS(ON) minimize conduction losses 10m @ VGS = 10V 12 A Low VSD reducing the losses due to bo
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
