DMGD7N45SSD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMGD7N45SSD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.64 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: SO-8

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DMGD7N45SSD datasheet

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DMGD7N45SSD

DMGD7N45SSD 450V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) MAX TA = +25 C High BVDss Rating for Power Application Low Input/Output Leakage 450V 4 @ VGS = 10V 0.85A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

Otros transistores... DMG6602SVTQ, DMG7401SFG, DMG7408SFG, DMG7410SFG, DMG7430LFG, DMG7702SFG, DMG9N65CT, DMG9N65CTI, 2SK3568, DMHC10H170SFJ, DMHC3025LSD, DMHC4035LSD, DMJ7N70SK3, DMN1019UFDE, DMN1019USN, DMN1019UVT, DMN1025UFDB