DMGD7N45SSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMGD7N45SSD
   Código: D7N45SD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.64 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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DMGD7N45SSD Datasheet (PDF)

..1. Size:301K diodes
dmgd7n45ssd.pdf

DMGD7N45SSD450V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) MAX TA = +25C High BVDss Rating for Power Application Low Input/Output Leakage 450V 4 @ VGS = 10V 0.85A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SFF440M | SSB60R140SFD

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: