DMGD7N45SSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMGD7N45SSD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.64 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de DMGD7N45SSD MOSFET
DMGD7N45SSD Datasheet (PDF)
dmgd7n45ssd.pdf

DMGD7N45SSD450V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) MAX TA = +25C High BVDss Rating for Power Application Low Input/Output Leakage 450V 4 @ VGS = 10V 0.85A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description
Otros transistores... DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , AO3401 , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE , DMN1019USN , DMN1019UVT , DMN1025UFDB .
History: DMN1019USN | IRLS610A | IRF7456PBF | IRF7455PBF | IRF7456PBF-1 | 4N60K | DMHC10H170SFJ
History: DMN1019USN | IRLS610A | IRF7456PBF | IRF7455PBF | IRF7456PBF-1 | 4N60K | DMHC10H170SFJ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N30D | AP5N20D-H | AP5N20D | AP5N15MSI | AP4959A | ATM2320KNSA | ATM2310NSA | ATM2305PSA | ATM2302NSA | ATM2301PSC | ATM2300NSA | ATM1205PSI | ATM10N65TF | ATM10N10SQ | ATM06P50TC | AP40H10NF
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