DMGD7N45SSD Todos los transistores

 

DMGD7N45SSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMGD7N45SSD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.64 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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DMGD7N45SSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  diodes
 dmgd7n45ssd.pdf pdf_icon

DMGD7N45SSD

DMGD7N45SSD450V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) MAX TA = +25C High BVDss Rating for Power Application Low Input/Output Leakage 450V 4 @ VGS = 10V 0.85A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

Otros transistores... DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , AO3401 , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE , DMN1019USN , DMN1019UVT , DMN1025UFDB .

History: DMN1019USN | IRLS610A | IRF7456PBF | IRF7455PBF | IRF7456PBF-1 | 4N60K | DMHC10H170SFJ

 

 
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