DMGD7N45SSD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMGD7N45SSD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.64 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMGD7N45SSD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMGD7N45SSD даташит

 ..1. Size:301K  diodes
 dmgd7n45ssd.pdf pdf_icon

DMGD7N45SSD

DMGD7N45SSD 450V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) MAX TA = +25 C High BVDss Rating for Power Application Low Input/Output Leakage 450V 4 @ VGS = 10V 0.85A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

Другие IGBT... DMG6602SVTQ, DMG7401SFG, DMG7408SFG, DMG7410SFG, DMG7430LFG, DMG7702SFG, DMG9N65CT, DMG9N65CTI, 2SK3568, DMHC10H170SFJ, DMHC3025LSD, DMHC4035LSD, DMJ7N70SK3, DMN1019UFDE, DMN1019USN, DMN1019UVT, DMN1025UFDB