DMGD7N45SSD - аналоги и даташиты транзистора

 

DMGD7N45SSD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMGD7N45SSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.64 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для DMGD7N45SSD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMGD7N45SSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  diodes
 dmgd7n45ssd.pdf pdf_icon

DMGD7N45SSD

DMGD7N45SSD450V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) MAX TA = +25C High BVDss Rating for Power Application Low Input/Output Leakage 450V 4 @ VGS = 10V 0.85A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

Другие MOSFET... DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , AO3401 , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE , DMN1019USN , DMN1019UVT , DMN1025UFDB .

History: IRF7456PBF | IRF7455PBF | DMHC10H170SFJ | DMN1019USN | IRLS610A | IRF7456PBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.