DMHC4035LSD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMHC4035LSD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SO-8

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DMHC4035LSD datasheet

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DMHC4035LSD

DMHC4035LSD 40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low On-Resistance Low Input Capacitance 45m @ VGS = 10V 4.5A N-Channel 40V Fast Switching Speed 58m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

Otros transistores... DMG7410SFG, DMG7430LFG, DMG7702SFG, DMG9N65CT, DMG9N65CTI, DMGD7N45SSD, DMHC10H170SFJ, DMHC3025LSD, RFP50N06, DMJ7N70SK3, DMN1019UFDE, DMN1019USN, DMN1019UVT, DMN1025UFDB, DMN1029UFDB, DMN1032UCB4, DMN1033UCB4