DMHC4035LSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMHC4035LSD
   Código: C4035LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMHC4035LSD

DMHC4035LSD Datasheet (PDF)

..1. Size:372K diodes
dmhc4035lsd.pdf

DMHC4035LSD40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 45m @ VGS = 10V 4.5A N-Channel 40V Fast Switching Speed 58m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

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Liste

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