Справочник MOSFET. DMHC4035LSD

 

DMHC4035LSD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMHC4035LSD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для DMHC4035LSD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMHC4035LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  diodes
 dmhc4035lsd.pdf pdf_icon

DMHC4035LSD

DMHC4035LSD40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 45m @ VGS = 10V 4.5A N-Channel 40V Fast Switching Speed 58m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

Другие MOSFET... DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , SKD502T , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE , DMN1019USN , DMN1019UVT , DMN1025UFDB , DMN1029UFDB , DMN1032UCB4 , DMN1033UCB4 .

History: IXTQ44P15T | HGN028NE6AL | CS7456 | STF13N60M2 | SIHFD014 | SI7491DP

 

 
Back to Top

 


 
.