DMHC4035LSD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMHC4035LSD
Маркировка: C4035LS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для DMHC4035LSD
DMHC4035LSD Datasheet (PDF)
..1. Size:372K diodes
dmhc4035lsd.pdf
dmhc4035lsd.pdf
DMHC4035LSD40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 45m @ VGS = 10V 4.5A N-Channel 40V Fast Switching Speed 58m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
