DMHC4035LSD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMHC4035LSD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMHC4035LSD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMHC4035LSD даташит

 ..1. Size:372K  diodes
 dmhc4035lsd.pdf pdf_icon

DMHC4035LSD

DMHC4035LSD 40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low On-Resistance Low Input Capacitance 45m @ VGS = 10V 4.5A N-Channel 40V Fast Switching Speed 58m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

Другие IGBT... DMG7410SFG, DMG7430LFG, DMG7702SFG, DMG9N65CT, DMG9N65CTI, DMGD7N45SSD, DMHC10H170SFJ, DMHC3025LSD, RFP50N06, DMJ7N70SK3, DMN1019UFDE, DMN1019USN, DMN1019UVT, DMN1025UFDB, DMN1029UFDB, DMN1032UCB4, DMN1033UCB4