DMJ7N70SK3 Todos los transistores

 

DMJ7N70SK3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMJ7N70SK3
   Código: J7N70S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMJ7N70SK3

 

DMJ7N70SK3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  diodes
 dmj7n70sk3.pdf pdf_icon

DMJ7N70SK3

DMJ7N70SK3 700V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Product Summary 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production ID V(BR)DSS RDS(on) max Low Gate Input Resistance TC = +25 C Low Input Capacitance 700V 1.25 @ VGS = 10V 3.9A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
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DMJ7N70SK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMJ7N70SK3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.25 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 700 V DSS V Gate-Source Voltage 30

Otros transistores... DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , SI2302 , DMN1019UFDE , DMN1019USN , DMN1019UVT , DMN1025UFDB , DMN1029UFDB , DMN1032UCB4 , DMN1033UCB4 , DMN1045UFR4 .

 

 
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