DMJ7N70SK3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMJ7N70SK3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm

Encapsulados: TO-252

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DMJ7N70SK3 datasheet

 ..1. Size:278K  diodes
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DMJ7N70SK3

DMJ7N70SK3 700V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Product Summary 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production ID V(BR)DSS RDS(on) max Low Gate Input Resistance TC = +25 C Low Input Capacitance 700V 1.25 @ VGS = 10V 3.9A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
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DMJ7N70SK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMJ7N70SK3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.25 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 700 V DSS V Gate-Source Voltage 30

Otros transistores... DMG7430LFG, DMG7702SFG, DMG9N65CT, DMG9N65CTI, DMGD7N45SSD, DMHC10H170SFJ, DMHC3025LSD, DMHC4035LSD, SI2302, DMN1019UFDE, DMN1019USN, DMN1019UVT, DMN1025UFDB, DMN1029UFDB, DMN1032UCB4, DMN1033UCB4, DMN1045UFR4