DMJ7N70SK3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMJ7N70SK3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMJ7N70SK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMJ7N70SK3 даташит

 ..1. Size:278K  diodes
 dmj7n70sk3.pdf pdf_icon

DMJ7N70SK3

DMJ7N70SK3 700V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Product Summary 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production ID V(BR)DSS RDS(on) max Low Gate Input Resistance TC = +25 C Low Input Capacitance 700V 1.25 @ VGS = 10V 3.9A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
 dmj7n70sk3.pdf pdf_icon

DMJ7N70SK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMJ7N70SK3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.25 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 700 V DSS V Gate-Source Voltage 30

Другие IGBT... DMG7430LFG, DMG7702SFG, DMG9N65CT, DMG9N65CTI, DMGD7N45SSD, DMHC10H170SFJ, DMHC3025LSD, DMHC4035LSD, SI2302, DMN1019UFDE, DMN1019USN, DMN1019UVT, DMN1025UFDB, DMN1029UFDB, DMN1032UCB4, DMN1033UCB4, DMN1045UFR4