DMJ7N70SK3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DMJ7N70SK3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для DMJ7N70SK3
DMJ7N70SK3 Datasheet (PDF)
dmj7n70sk3.pdf
DMJ7N70SK3 700V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Product Summary 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production ID V(BR)DSS RDS(on) max Low Gate Input Resistance TC = +25 C Low Input Capacitance 700V 1.25 @ VGS = 10V 3.9A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)
dmj7n70sk3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMJ7N70SK3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.25 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 700 V DSS V Gate-Source Voltage 30
Другие MOSFET... DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , SI2302 , DMN1019UFDE , DMN1019USN , DMN1019UVT , DMN1025UFDB , DMN1029UFDB , DMN1032UCB4 , DMN1033UCB4 , DMN1045UFR4 .
History: NTMS5838NLR2G | IXFL70N60Q2
History: NTMS5838NLR2G | IXFL70N60Q2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140


