DMN1150UFB Todos los transistores

 

DMN1150UFB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN1150UFB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: X1-DFN1006-3
 

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DMN1150UFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  diodes
 dmn1150ufb.pdf pdf_icon

DMN1150UFB

DMN1150UFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = +25C Low Input Capacitance 0.15 @ VGS = 4.5V 1.41A Fast Switching Speed 12V 1.25A 0.185 @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate 0.21 @ VGS = 1.8V 1.16A Totally Lead-Free & Fully Ro

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History: MDS1754RH | IPB65R600C6

 

 
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