DMN1150UFB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN1150UFB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.41 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: X1-DFN1006-3

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DMN1150UFB datasheet

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DMN1150UFB

DMN1150UFB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = +25 C Low Input Capacitance 0.15 @ VGS = 4.5V 1.41A Fast Switching Speed 12V 1.25A 0.185 @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate 0.21 @ VGS = 1.8V 1.16A Totally Lead-Free & Fully Ro

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