DMN1150UFB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMN1150UFB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: X1-DFN1006-3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMN1150UFB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN1150UFB даташит

 ..1. Size:258K  diodes
 dmn1150ufb.pdf pdf_icon

DMN1150UFB

DMN1150UFB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = +25 C Low Input Capacitance 0.15 @ VGS = 4.5V 1.41A Fast Switching Speed 12V 1.25A 0.185 @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate 0.21 @ VGS = 1.8V 1.16A Totally Lead-Free & Fully Ro

Другие IGBT... DMN10H120SFG, DMN10H170SFDE, DMN10H170SFG, DMN10H170SK3, DMN10H170SVT, DMN10H220L, DMN10H220LE, DMN10H220LVT, IRF9640, DMN1260UFA, DMN13H750S, DMN15H310SE, DMN2005UFG, DMN2011UFDE, DMN2011UFX, DMN2013UFDE, DMN2013UFX