Справочник MOSFET. DMN1150UFB

 

DMN1150UFB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN1150UFB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: X1-DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для DMN1150UFB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN1150UFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  diodes
 dmn1150ufb.pdf pdf_icon

DMN1150UFB

DMN1150UFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = +25C Low Input Capacitance 0.15 @ VGS = 4.5V 1.41A Fast Switching Speed 12V 1.25A 0.185 @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate 0.21 @ VGS = 1.8V 1.16A Totally Lead-Free & Fully Ro

Другие MOSFET... DMN10H120SFG , DMN10H170SFDE , DMN10H170SFG , DMN10H170SK3 , DMN10H170SVT , DMN10H220L , DMN10H220LE , DMN10H220LVT , AON7403 , DMN1260UFA , DMN13H750S , DMN15H310SE , DMN2005UFG , DMN2011UFDE , DMN2011UFX , DMN2013UFDE , DMN2013UFX .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.