DMN1260UFA Todos los transistores

 

DMN1260UFA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN1260UFA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.366 Ohm
   Paquete / Cubierta: X2-DFN0806-3
 

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DMN1260UFA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  diodes
 dmn1260ufa.pdf pdf_icon

DMN1260UFA

DMN1260UFA 12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 0.4mm Ultra Low Profile Package for Thin Application ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25C 366m @ VGS = 4.5V Low On-Resistance 520m @ VGS = 2.5V Low Input Capacitance 12V 0.5A 950m @ VGS = 1.8V ESD Protected Gat

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History: AP72T02GH | STL90N3LLH6 | NCE70N1K1K | 2SK664 | STU336S

 

 
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